Manufacturing method of semiconductor device

WO2007043285 Art A1 19. April 2007

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007043285
Aktenzeichen: EP06810234
Anmeldetag: 11. September 2006
Veröffentlichung: 19. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/12H01L21/304H01L21/84

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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