Cmos amplifier using 4-terminal dual insulating gate field-effect transistor, multi-input cmos amplifier using the same, high-gain multi-input cmos amplifier, high-gain highly-stable multi-input cmos amplifier, and multi-input cmos differential amplifier

WO2007043389 Art A1 19. April 2007

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007043389
Aktenzeichen: EP06811106
Anmeldetag: 3. Oktober 2006
Veröffentlichung: 19. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H03F3/34H03F3/16H03F3/18H03F3/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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