Resistive memory element and its manufacturing method and nonvolatile semiconductor memory device

WO2007046144 Art A1 26. April 2007

Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007046144
Aktenzeichen: EP05795392
Anmeldetag: 19. Oktober 2005
Veröffentlichung: 26. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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