Semiconductor die having a protective periphery region and method for forming

WO2007047058 Art A2 26. April 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2007047058
Aktenzeichen
EP06815702
Anmeldetag
27. September 2006
Veröffentlichung
26. April 2007
Rechtsraum
WO
IPC
B23B19/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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