Reduction of iso-dense field thickness bias through gas jet for gapfill process

WO2007047284 Art A1 26. April 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007047284
Aktenzeichen: EP06816672
Anmeldetag: 10. Oktober 2006
Veröffentlichung: 26. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3105H01L21/316H01L21/00G03F7/16B05C11/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von