Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor

WO2007047369 Art A2 26. April 2007

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007047369
Aktenzeichen: EP06836277
Anmeldetag: 12. Oktober 2006
Veröffentlichung: 26. April 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/336H01L21/3205H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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