Halbleiterbauelement mit Pn-Übergang und Verfahren zur Herstellung Desselben
WO2007048387
Art A2
3. Mai 2007
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007048387
- Aktenzeichen
- EP06805449
- Anmeldetag
- 19. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 3. Mai 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/861H01L29/78H01L21/336H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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