Semiconductor chip with amorphous crack-stop layer

WO2007049087 Art A1 3. Mai 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007049087
Aktenzeichen: EP05819729
Anmeldetag: 24. Oktober 2005
Veröffentlichung: 3. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/00H01L23/29H01L21/314

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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