Laser irradiation apparatus and manufacturing method of semiconductor device

WO2007049525 Art A1 3. Mai 2007

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007049525
Aktenzeichen: EP06812111
Anmeldetag: 16. Oktober 2006
Veröffentlichung: 3. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/268H01L21/20H01L21/336H01L21/8234H01L21/8238H01L27/06H01L27/08H01L27/092H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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