A method for applying at least one silicon containing layer onto an electron conductive layer

WO2007049960 Art A1 3. Mai 2007

Anmelder: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007049960
Aktenzeichen: EP06812712
Anmeldetag: 27. Oktober 2006
Veröffentlichung: 3. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/18H01L21/208

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 TNO (Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek)

Niederländisches, unabhängiges Forschungsinstitut für angewandte Naturwissenschaften mit Sitz in Den Haag. TNO betreibt anwendungsorientierte Forschung und Entwicklung in Bereichen wie Energie, Mobilität, Gesundheit, Verteidigung und Informationstechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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