Semiconductor memory device having cross-point structure

WO2007052426 Art A1 10. Mai 2007

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007052426
Aktenzeichen: EP06810621
Anmeldetag: 27. September 2006
Veröffentlichung: 10. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10G11C11/15G11C11/22G11C13/00H01L21/8246H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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