Method and system for forming a nitrided germanium-containing layer using plasma processing

WO2007053269 Art A2 10. Mai 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007053269
Aktenzeichen: EP06825670
Anmeldetag: 10. Oktober 2006
Veröffentlichung: 10. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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🇺🇸 The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University

Rechtsträger der US-amerikanischen Stanford University in Kalifornien, der als Anmelder der zahlreichen Patente aus der Universitätsforschung fungiert. Schwerpunkte liegen unter anderem in Biotechnologie, Informatik und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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