Technique for strain engineering in si-based transistors by using embedded semiconductor layers including atoms with high covalent radius
WO2007053381
Art A1
10. Mai 2007
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007053381
- Aktenzeichen
- EP06826600
- Anmeldetag
- 23. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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