An embedded strain layer in thin soi transistors and a method of forming the same
WO2007053382
Art A1
10. Mai 2007
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007053382
- Aktenzeichen
- EP06826601
- Anmeldetag
- 23. Oktober 2006
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L29/786H01L29/04H01L21/84H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
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