Method and system for forming a nitrided germanium-containing layer using plasma processing

WO2007053553 Art A2 10. Mai 2007

Anmelder: Tokyo Electron Limited (TEL), The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007053553
Aktenzeichen: EP06827062
Anmeldetag: 27. Oktober 2006
Veröffentlichung: 10. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01L21/314C23C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited (TEL)
The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University
Land: 🇯🇵 Japan

🇺🇸 The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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