Method for forming crystalline sic by carbonization of si substrate surface, and crystalline sic substrate

WO2007055377 Art A1 18. Mai 2007

Anmelder: OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007055377
Aktenzeichen: EP06832613
Anmeldetag: 14. November 2006
Veröffentlichung: 18. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSAKA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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