Recessed Channel Negative Differential Resistance-Based Memory Cell

WO2007055817 Art A2 18. Mai 2007

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007055817
Aktenzeichen: EP06815624
Anmeldetag: 26. September 2006
Veröffentlichung: 18. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/94

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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