Semiconductor devices having complementary multiple-gate transistors with different gate dielectrics and methods of manufacture thereof

WO2007057357 Art A2 24. Mai 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007057357
Aktenzeichen: EP06819396
Anmeldetag: 10. November 2006
Veröffentlichung: 24. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L29/786H01L21/336H01L29/49H01L21/84H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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