Process for producing semiconductor device and substrate treatment apparatus

WO2007058120 Art A1 24. Mai 2007

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007058120
Aktenzeichen: EP06832489
Anmeldetag: 10. November 2006
Veröffentlichung: 24. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285C23C16/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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