Bipolar transistor and its manufacturing method

WO2007058265 Art A1 24. Mai 2007

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007058265
Aktenzeichen: EP06832755
Anmeldetag: 16. November 2006
Veröffentlichung: 24. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331H01L29/737

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Abstract

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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