Polishing process for producing damage free surfaces on semi-insulating silicon carbide wafers
WO2007058774
Art A1
24. Mai 2007
Anmelder: The Penn State Research Foundation. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007058774
- Aktenzeichen
- EP06844241
- Anmeldetag
- 1. November 2006
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/302C09K13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- The Penn State Research Foundation.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Penn State Research Foundation
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