Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

WO2007059239 Art A1 24. Mai 2007

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007059239
Aktenzeichen: EP06837706
Anmeldetag: 14. November 2006
Veröffentlichung: 24. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/788H01L21/28H01L29/423H01L21/762H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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