Method for manufacturing semiconductor device
WO2007060881
Art A1
31. Mai 2007
Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007060881
- Aktenzeichen
- EP06832803
- Anmeldetag
- 17. November 2006
- Veröffentlichung
- 31. Mai 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/316H01L21/336H01L21/8238H01L21/8242H01L27/092H01L27/108H01L29/78H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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