Method for forming porous insulating film, apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

WO2007061134 Art A1 31. Mai 2007

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007061134
Aktenzeichen: EP06833843
Anmeldetag: 24. November 2006
Veröffentlichung: 31. Mai 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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