Monolithic integration of enhancement- and depletion-mode algan/gan hfets

WO2007062589 Art A1 7. Juni 2007

Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007062589
Aktenzeichen: EP06817927
Anmeldetag: 29. November 2006
Veröffentlichung: 7. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Hong Kong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 The Hong Kong University of Science and Technology

The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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