Process for producing polycrystalline bulk semiconductor

WO2007063637 Art A1 7. Juni 2007

Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007063637
Aktenzeichen: EP06810486
Anmeldetag: 25. September 2006
Veröffentlichung: 7. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06B22D25/04B22D27/04C01B33/037

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TOHOKU UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von

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