Techniques for preventing parasitic beamlets from affecting ion implantation

WO2007067552 Art A2 14. Juni 2007

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007067552
Aktenzeichen: EP06839027
Anmeldetag: 6. Dezember 2006
Veröffentlichung: 14. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01J3/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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