Method of forming a semiconductor device having a dummy feature

WO2007068281 Art A1 21. Juni 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007068281
Aktenzeichen: EP05850403
Anmeldetag: 14. Dezember 2005
Veröffentlichung: 21. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02H01L21/321

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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