Method of making a contact in a semiconductor device

WO2007068714 Art A2 21. Juni 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007068714
Aktenzeichen: EP06830582
Anmeldetag: 13. Dezember 2006
Veröffentlichung: 21. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/60H01L21/311H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von