Metal film decarbonizing method, film forming method and semiconductor device manufacturing method

WO2007069438 Art A1 21. Juni 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007069438
Aktenzeichen: EP06833191
Anmeldetag: 24. November 2006
Veröffentlichung: 21. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28C23C16/56H01L21/285H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von