Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device

WO2007069516 Art A1 21. Juni 2007

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007069516
Aktenzeichen: EP06834151
Anmeldetag: 30. November 2006
Veröffentlichung: 21. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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