Power mosfet and method of making the same

WO2007070050 Art A1 21. Juni 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007070050
Aktenzeichen: EP05854200
Anmeldetag: 14. Dezember 2005
Veröffentlichung: 21. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/08H01L29/423H01L21/336H01L29/49H01L29/45

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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