Enhanced multi-bit non-volatile memory device with resonant tunnel barrier

WO2007070424 Art A1 21. Juni 2007

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007070424
Aktenzeichen: EP06845110
Anmeldetag: 8. Dezember 2006
Veröffentlichung: 21. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28G11C16/04H01L29/423H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von