Method for modifying highly dielectric thin film and semiconductor device

WO2007072649 Art A1 28. Juni 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007072649
Aktenzeichen: EP06833145
Anmeldetag: 22. November 2006
Veröffentlichung: 28. Juni 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/336H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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