Substrate with contact studs of improved quality

WO2007074351 Art A1 5. Juli 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007074351
Aktenzeichen: EP05850719
Anmeldetag: 29. Dezember 2005
Veröffentlichung: 5. Juli 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/498H01L21/48H05K3/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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