Nmosfet and method for manufacturing same, and cmosfet and method for manufacturing same

WO2007074775 Art A1 5. Juli 2007

Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007074775
Aktenzeichen: EP06843193
Anmeldetag: 25. Dezember 2006
Veröffentlichung: 5. Juli 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L21/336H01L21/8234H01L21/8238H01L27/088H01L27/092H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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