Multigate device with recessed strain regions

WO2007075309 Art A1 5. Juli 2007

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007075309
Aktenzeichen: EP06845144
Anmeldetag: 7. Dezember 2006
Veröffentlichung: 5. Juli 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.631 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von