Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiter-Feldeffekttransistors mit einer Fin-Struktur und Verbindungshalbleiter-Feldeffekttransistor mit einer Fin-Struktur

WO2007076791 Art A1 12. Juli 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007076791
Aktenzeichen: EP06828658
Anmeldetag: 12. Dezember 2006
Veröffentlichung: 12. Juli 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/335H01L29/10H01L29/20H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.937 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von