Semiconductor device manufacturing method

WO2007077909 Art A1 12. Juli 2007

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007077909
Aktenzeichen: EP06843561
Anmeldetag: 28. Dezember 2006
Veröffentlichung: 12. Juli 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/56H01L23/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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