Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus

WO2007077917 Art A1 12. Juli 2007

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007077917
Aktenzeichen: EP06843582
Anmeldetag: 28. Dezember 2006
Veröffentlichung: 12. Juli 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/8247H01L27/115H01L29/78H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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