Independently programmable memory segment within an nmos electrically erasable programmable read only memory array achived by p-well separation and methods for programming
WO2007078614
Art A1
12. Juli 2007
Anmelder: Microchip Technology Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007078614
- Aktenzeichen
- EP06845074
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 12. Juli 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/115H01L21/761G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Microchip Technology Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
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