A tensile strained nmos transistor using group iii-n source/drain regions

WO2007078892 Art A2 12. Juli 2007

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007078892
Aktenzeichen: EP06845641
Anmeldetag: 15. Dezember 2006
Veröffentlichung: 12. Juli 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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