Method and structure for reducing the external resistance of a three-dimensional transistor through use of epitaxial layers

WO2007078957 Art A2 12. Juli 2007

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007078957
Aktenzeichen: EP06847810
Anmeldetag: 18. Dezember 2006
Veröffentlichung: 12. Juli 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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