Ferroelectric memory device, method for manufacturing such ferroelectric memory device and method for manufacturing semiconductor device

WO2007086126 Art A1 2. August 2007

Anmelder: Fujitsu Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007086126
Aktenzeichen: EP06712424
Anmeldetag: 26. Januar 2006
Veröffentlichung: 2. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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