Nitride Semiconductor Light Emitting Element
WO2007086366
Art A1
2. August 2007
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007086366
- Aktenzeichen
- EP07707231
- Anmeldetag
- 23. Januar 2007
- Veröffentlichung
- 2. August 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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