Porous Silicon Dielectric

WO2007087406 Art A2 2. August 2007

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007087406
Aktenzeichen: EP07709868
Anmeldetag: 24. Januar 2007
Veröffentlichung: 2. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/469

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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