Method for seed film formation, plasma film forming apparatus, and memory medium

WO2007088792 Art A1 9. August 2007

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007088792
Aktenzeichen: EP07707525
Anmeldetag: 26. Januar 2007
Veröffentlichung: 9. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285C23C14/34C23C14/54H01L21/3205H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von