A semiconductor device comprising a metallization layer stack with a porous low-k material having an enhanced integrity
WO2007089495
Art A1
9. August 2007
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007089495
- Aktenzeichen
- EP07716970
- Anmeldetag
- 25. Januar 2007
- Veröffentlichung
- 9. August 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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