Memory cells having split charge storage nodes and methods for fabricating memory cells having split charge storage nodes

WO2007089949 Art A2 9. August 2007

Anmelder: Spansion LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007089949
Aktenzeichen: EP07763026
Anmeldetag: 5. Februar 2007
Veröffentlichung: 9. August 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/8247H01L29/792H01L27/115H01L29/423H01L29/788

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Spansion LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Spansion

Spansion war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf Flash-Speicher spezialisiert war und später in Cypress Semiconductor aufging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik, ergänzt um Software. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2014.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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