Nitride Semiconductor Element
WO2007091651
Art A1
16. August 2007
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007091651
- Aktenzeichen
- EP07708248
- Anmeldetag
- 8. Februar 2007
- Veröffentlichung
- 16. August 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
2.771 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.